Microsemi Corporation - APTGT75A1202G

KEY Part #: K6533651

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT75A1202G electronic components. APTGT75A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT75A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : APTGT75A1202G

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : MOD IGBT 1200V 110A SP2

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete

ประเภท IGBT : Trench Field Stop

องค์ประกอบ : Half Bridge

แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V

ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 110A

พลังงาน - สูงสุด : 357W

Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A

ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 50µA

อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V

อินพุต : Standard

เทอร์มิสเตอร์ NTC : No

อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount

แพ็คเกจ / เคส : SP2

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP2

คุณอาจสนใจด้วย

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

อะไหล่ร้อน