Infineon Technologies - IPA65R190CFDXKSA1

KEY Part #: K6402842

IPA65R190CFDXKSA1 ราคา (USD) [25763ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.59974

ส่วนจำนวน:
IPA65R190CFDXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 electronic components. IPA65R190CFDXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA65R190CFDXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R190CFDXKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPA65R190CFDXKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
ชุด : CoolMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 17.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 730µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1850pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 34W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220 Full Pack
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย