Infineon Technologies - BSC100N03MSGATMA1

KEY Part #: K6421067

BSC100N03MSGATMA1 ราคา (USD) [343587ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10765
  • 5,000 pcs$0.09162

ส่วนจำนวน:
BSC100N03MSGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSC100N03MSGATMA1 electronic components. BSC100N03MSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC100N03MSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC100N03MSGATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSC100N03MSGATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Ta), 44A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1700pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TDSON-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย