Toshiba Semiconductor and Storage - TK7A65W,S5X

KEY Part #: K6418595

TK7A65W,S5X ราคา (USD) [69531ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.76512
  • 50 pcs$0.61862
  • 100 pcs$0.55674
  • 500 pcs$0.43301
  • 1,000 pcs$0.33938

ส่วนจำนวน:
TK7A65W,S5X
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W,S5X electronic components. TK7A65W,S5X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7A65W,S5X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7A65W,S5X คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK7A65W,S5X
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 490pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack