IXYS - IXFB170N30P

KEY Part #: K6395730

IXFB170N30P ราคา (USD) [4649ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.30037
  • 25 pcs$10.24912

ส่วนจำนวน:
IXFB170N30P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFB170N30P electronic components. IXFB170N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB170N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB170N30P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFB170N30P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH TO-264
ชุด : HiPerFET™, PolarP2™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 300V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 170A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 258nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 20000pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1250W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS264™
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA