GeneSiC Semiconductor - 1N5831

KEY Part #: K6425116

1N5831 ราคา (USD) [7149ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.82896
  • 100 pcs$5.79996

ส่วนจำนวน:
1N5831
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N5831 electronic components. 1N5831 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5831, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5831 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 1N5831
ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 35V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 25A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 580mV @ 25A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2mA @ 20V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-203AA, DO-4, Stud
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-4
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C
คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • NSR0530HT1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 0.5 A 30 V SOD-323 S