Diodes Incorporated - DMN2015UFDF-13

KEY Part #: K6396019

DMN2015UFDF-13 ราคา (USD) [591719ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06251

ส่วนจำนวน:
DMN2015UFDF-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2015UFDF-13 electronic components. DMN2015UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2015UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2015UFDF-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN2015UFDF-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15.2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 42.3nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1439pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN2020-6
แพ็คเกจ / เคส : 6-UDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย