ส่วนจำนวน :
SIR836DP-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
21A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
600pF @ 20V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® SO-8
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® SO-8