Vishay Siliconix - SIB404DK-T1-GE3

KEY Part #: K6401574

SIB404DK-T1-GE3 ราคา (USD) [3003ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.09104

ส่วนจำนวน:
SIB404DK-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIB404DK-T1-GE3 electronic components. SIB404DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB404DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB404DK-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIB404DK-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 800mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 13W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SC-75-6L Single
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SC-75-6L

คุณอาจสนใจด้วย