ส่วนจำนวน :
SSM3J118TU(TE85L)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.4A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
137pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
UFM
แพ็คเกจ / เคส :
3-SMD, Flat Leads