Vishay Siliconix - SI4434ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6419048

SI4434ADY-T1-GE3 ราคา (USD) [89195ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.43837

ส่วนจำนวน:
SI4434ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHAN 250V SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4434ADY-T1-GE3 electronic components. SI4434ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4434ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4434ADY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4434ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHAN 250V SO-8
ชุด : ThunderFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 600pF @ 125V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.9W (Ta), 6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย