Toshiba Semiconductor and Storage - TK6Q65W,S1Q

KEY Part #: K6419089

TK6Q65W,S1Q ราคา (USD) [91009ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.58952
  • 75 pcs$0.47262
  • 150 pcs$0.41353
  • 525 pcs$0.30336
  • 1,050 pcs$0.23950

ส่วนจำนวน:
TK6Q65W,S1Q
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q electronic components. TK6Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6Q65W,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6Q65W,S1Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK6Q65W,S1Q
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 180µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 390pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 60W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I-PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Stub Leads, IPak

คุณอาจสนใจด้วย