IXYS - IXTI10N60P

KEY Part #: K6410091

[56ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IXTI10N60P
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS IXTI10N60P electronic components. IXTI10N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTI10N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTI10N60P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IXTI10N60P
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
    ชุด : PolarHV™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 100µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1610pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 200W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-262 (I2PAK)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.