Diodes Incorporated - DMT68M8LSS-13

KEY Part #: K6394108

DMT68M8LSS-13 ราคา (USD) [376192ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09832

ส่วนจำนวน:
DMT68M8LSS-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMT68M8LSS-13 electronic components. DMT68M8LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT68M8LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT68M8LSS-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMT68M8LSS-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 28.9A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 31.8nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2107pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.