Vishay Siliconix - SI7457DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405991

[1473ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI7457DP-T1-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7457DP-T1-GE3 electronic components. SI7457DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7457DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7457DP-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI7457DP-T1-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 28A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 7.9A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 160nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5230pF @ 50V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8
    แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8