Vishay Siliconix - IRC730PBF

KEY Part #: K6411894

[13633ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRC730PBF
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix IRC730PBF electronic components. IRC730PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRC730PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRC730PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRC730PBF
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 400V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.5A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 3.3A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 700pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : Current Sensing
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 74W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220-5
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-5

    คุณอาจสนใจด้วย
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRFR7546TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

    • IRFR4615TRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.