ส่วนจำนวน :
SSM3J114TU(T5L,T)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
149 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
7.7nC @ 4V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
331pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
UFM
แพ็คเกจ / เคส :
3-SMD, Flat Leads