Toshiba Semiconductor and Storage - TK31N60X,S1F

KEY Part #: K6397956

TK31N60X,S1F ราคา (USD) [17128ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.64861
  • 30 pcs$2.12696
  • 120 pcs$1.93787
  • 510 pcs$1.56920
  • 1,020 pcs$1.32342

ส่วนจำนวน:
TK31N60X,S1F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F electronic components. TK31N60X,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31N60X,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31N60X,S1F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK31N60X,S1F
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
ชุด : DTMOSIV-H
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 1.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3000pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : Super Junction
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK35A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.

  • TK65A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.