IXYS - IXFX73N30Q

KEY Part #: K6408638

IXFX73N30Q ราคา (USD) [6463ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$7.04822
  • 30 pcs$7.01315

ส่วนจำนวน:
IXFX73N30Q
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFX73N30Q electronic components. IXFX73N30Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX73N30Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX73N30Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFX73N30Q
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 300V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 73A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5400pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS247™-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย