Vishay Siliconix - SI4010DY-T1-GE3

KEY Part #: K6403613

SI4010DY-T1-GE3 ราคา (USD) [201147ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.18388
  • 2,500 pcs$0.17267

ส่วนจำนวน:
SI4010DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3 electronic components. SI4010DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4010DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4010DY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4010DY-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 31.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : +20V, -16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3595pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย
  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.

  • FQD12N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.

  • FDD8N50NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK.

  • FDD5N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 4A DPAK.