Vishay Siliconix - SQ4153EY-T1_GE3

KEY Part #: K6419555

SQ4153EY-T1_GE3 ราคา (USD) [118801ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.31134

ส่วนจำนวน:
SQ4153EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_GE3 electronic components. SQ4153EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4153EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4153EY-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQ4153EY-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 25A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 900mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 151nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 11000pF @ 6V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 7.1W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOIC
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย