Infineon Technologies - IPU80R1K4CEBKMA1

KEY Part #: K6402750

[2595ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPU80R1K4CEBKMA1
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1 electronic components. IPU80R1K4CEBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU80R1K4CEBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU80R1K4CEBKMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPU80R1K4CEBKMA1
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
    ชุด : CoolMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.9A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.9V @ 240µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 570pF @ 100V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 63W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO251-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.