Diodes Incorporated - DMT6009LCT

KEY Part #: K6398241

DMT6009LCT ราคา (USD) [92595ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.40138
  • 50 pcs$0.30454
  • 100 pcs$0.26649
  • 500 pcs$0.20665
  • 1,000 pcs$0.16314

ส่วนจำนวน:
DMT6009LCT
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LCT electronic components. DMT6009LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LCT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMT6009LCT
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 37.2A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1925pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.2W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP.