ส่วนจำนวน :
IPL60R185P7AUMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
19A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 280µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
25nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1081pF @ 400V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
81W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-VSON-4
แพ็คเกจ / เคส :
4-PowerTSFN