Infineon Technologies - IPP04CN10NG

KEY Part #: K6408497

[607ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPP04CN10NG
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPP04CN10NG electronic components. IPP04CN10NG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP04CN10NG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP04CN10NG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPP04CN10NG
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    ชุด : OptiMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 210nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 13800pF @ 50V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • TP0610KL-TR1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FDD6N50FTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

    • 2SK3068(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

    • 2SK2993(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

    • RDX120N50FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM.

    • RDX100N60FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM.