IXYS - IXTT50P10

KEY Part #: K6394944

IXTT50P10 ราคา (USD) [13184ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.45568
  • 30 pcs$3.43849

ส่วนจำนวน:
IXTT50P10
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTT50P10 electronic components. IXTT50P10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT50P10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT50P10 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTT50P10
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4350pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-268
แพ็คเกจ / เคส : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA