IXYS - IXTK120P20T

KEY Part #: K6395273

IXTK120P20T ราคา (USD) [5273ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$9.08138
  • 25 pcs$9.03620

ส่วนจำนวน:
IXTK120P20T
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTK120P20T electronic components. IXTK120P20T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTK120P20T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK120P20T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTK120P20T
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
ชุด : TrenchP™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 740nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 73000pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-264 (IXTK)
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA