Transphorm - TP65H035WSQA

KEY Part #: K6396073

TP65H035WSQA ราคา (USD) [4296ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.08141

ส่วนจำนวน:
TP65H035WSQA
ผู้ผลิต:
Transphorm
คำอธิบายโดยละเอียด:
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Transphorm TP65H035WSQA electronic components. TP65H035WSQA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H035WSQA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WSQA คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TP65H035WSQA
ผู้ผลิต : Transphorm
ลักษณะ : GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 47A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.8V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1500pF @ 400V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 187W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย