IXYS - IXFH36N55Q2

KEY Part #: K6408717

IXFH36N55Q2 ราคา (USD) [6522ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.98518
  • 30 pcs$6.95043

ส่วนจำนวน:
IXFH36N55Q2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFH36N55Q2 electronic components. IXFH36N55Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH36N55Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH36N55Q2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFH36N55Q2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 550V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 36A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4100pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 560W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3