Microsemi Corporation - APT7M120S

KEY Part #: K6394253

APT7M120S ราคา (USD) [13311ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.42294
  • 75 pcs$3.40591

ส่วนจำนวน:
APT7M120S
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT7M120S electronic components. APT7M120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT7M120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT7M120S คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT7M120S
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
ชุด : POWER MOS 8™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2565pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 335W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D3Pak
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • SQ7002K-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3.