ส่วนจำนวน :
SI7806ADN-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
9A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
20nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® 1212-8
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® 1212-8