STMicroelectronics - STN5PF02V

KEY Part #: K6415942

[12236ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    STN5PF02V
    ผู้ผลิต:
    STMicroelectronics
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in STMicroelectronics STN5PF02V electronic components. STN5PF02V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STN5PF02V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STN5PF02V คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : STN5PF02V
    ผู้ผลิต : STMicroelectronics
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
    ชุด : STripFET™ II
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.2A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2.1A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 450mV @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6nC @ 2.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±8V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 412pF @ 15V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-223
    แพ็คเกจ / เคส : TO-261-4, TO-261AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRFR120NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.