ส่วนจำนวน :
PHD21N06LT,118
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
55V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
19A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
9.4nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
650pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
56W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DPAK
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63