Vishay Siliconix - SI7852DP-T1-E3

KEY Part #: K6419223

SI7852DP-T1-E3 ราคา (USD) [88646ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.44109
  • 3,000 pcs$0.37191

ส่วนจำนวน:
SI7852DP-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3 electronic components. SI7852DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7852DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7852DP-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI7852DP-T1-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.6A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8