IXYS - IXTN102N65X2

KEY Part #: K6394594

IXTN102N65X2 ราคา (USD) [3922ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$12.14773
  • 10 pcs$11.23827
  • 100 pcs$9.59819

ส่วนจำนวน:
IXTN102N65X2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTN102N65X2 electronic components. IXTN102N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN102N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN102N65X2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTN102N65X2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 76A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10900pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 595AW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC