Infineon Technologies - SPD04N60C3

KEY Part #: K6401095

[8836ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SPD04N60C3
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies SPD04N60C3 electronic components. SPD04N60C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD04N60C3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPD04N60C3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SPD04N60C3
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
    ชุด : CoolMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.5A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 2.8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.9V @ 200µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 490pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 50W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย