ส่วนจำนวน :
IXTT3N200P3HV
ลักษณะ :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
2000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
70nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1860pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
520W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-268
แพ็คเกจ / เคส :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA