NXP USA Inc. - BSH205,215

KEY Part #: K6415207

[12490ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BSH205,215
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. BSH205,215 electronic components. BSH205,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH205,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSH205,215 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BSH205,215
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 12V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 750mA (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 430mA, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 680mV @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±8V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 200pF @ 9.6V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 417mW (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-236AB (SOT23)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.