ส่วนจำนวน :
HAT2088R-EL-E
ผู้ผลิต :
Renesas Electronics America
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
450pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SOP
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)