Diodes Incorporated - DMN1033UCB4-7

KEY Part #: K6523020

DMN1033UCB4-7 ราคา (USD) [325745ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.11412
  • 3,000 pcs$0.11355

ส่วนจำนวน:
DMN1033UCB4-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1033UCB4-7 electronic components. DMN1033UCB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1033UCB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1033UCB4-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN1033UCB4-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : -
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 37nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
พลังงาน - สูงสุด : 1.45W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 4-UFBGA, WLBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-WLB1818-4

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.