หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. บ้าน
  2. ผลิตภัณฑ์
  3. ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง
  4. ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
  5. EPC2110ENGRT

EPC - EPC2110ENGRT

KEY Part #: K6524902

EPC2110ENGRT ราคา (USD) [91507ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.45551
  • 2,500 pcs$0.45324
ส่วนจำนวน:
EPC2110ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
คำอธิบายโดยละเอียด:
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in EPC EPC2110ENGRT electronic components. EPC2110ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2110ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2110ENGRT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : EPC2110ENGRT
ผู้ผลิต : EPC
ลักษณะ : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
ชุด : eGaN®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
คุณสมบัติของ FET : GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 120V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.4A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 700µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 80pF @ 60V
พลังงาน - สูงสุด : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : Die
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die
คุณอาจสนใจด้วย
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

  • STC5DNF30V

    STMicroelectronics

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP.

อะไหล่ร้อน