Infineon Technologies - BSP125H6433XTMA1

KEY Part #: K6420785

BSP125H6433XTMA1 ราคา (USD) [253961ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.14564
  • 4,000 pcs$0.11355

ส่วนจำนวน:
BSP125H6433XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSP125H6433XTMA1 electronic components. BSP125H6433XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP125H6433XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP125H6433XTMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSP125H6433XTMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
ชุด : SIPMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.3V @ 94µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 150pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-SOT223-4
แพ็คเกจ / เคส : TO-261-4, TO-261AA

คุณอาจสนใจด้วย