ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
86A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
90nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4500pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
480W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3P
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3