Diodes Incorporated - DMN3033LSDQ-13

KEY Part #: K6523388

DMN3033LSDQ-13 ราคา (USD) [4181ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.09462

ส่วนจำนวน:
DMN3033LSDQ-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 electronic components. DMN3033LSDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3033LSDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3033LSDQ-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN3033LSDQ-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.9A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 13nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 725pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย