ส่วนจำนวน :
TPN13008NH,L1Q
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
18A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
13.3 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 200µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1600pF @ 40V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
700mW (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerVDFN