ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
24V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
6A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.3V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
8.8nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
EFCP1515-4CC-037
แพ็คเกจ / เคส :
4-XBGA, 4-FCBGA