ส่วนจำนวน :
APTGLQ150H120G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
POWER MODULE - IGBT
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
250A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 150A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
8.8nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP6