ส่วนจำนวน :
APTGTQ100A65T1G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
POWER MODULE - IGBT
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP1