IXYS - IXFH120N25T

KEY Part #: K6394799

IXFH120N25T ราคา (USD) [10182ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$4.47436
  • 60 pcs$4.45210

ส่วนจำนวน:
IXFH120N25T
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFH120N25T electronic components. IXFH120N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH120N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH120N25T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFH120N25T
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
ชุด : HiPerFET™, TrenchT2™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 11300pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 890W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3