Infineon Technologies - DF200R12PT4B6BOSA1

KEY Part #: K6534172

DF200R12PT4B6BOSA1 ราคา (USD) [505ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$91.86184

ส่วนจำนวน:
DF200R12PT4B6BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12PT4B6BOSA1 electronic components. DF200R12PT4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12PT4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12PT4B6BOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DF200R12PT4B6BOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 300A
พลังงาน - สูงสุด : 1100W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 15µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module